三星率先量产20纳米级动态存储器
三星电子于9月22日在韩国京畿道纳米城华城园区举行“16号半导体生产线开工仪式”，这意味着三星电子成为世界上第一家正式批量生产20纳米级动态存储器(D-RAM)和大容量NAND闪存的电子企业，也标志着三星电子在存储用半导体领域继续处于领跑地位。
据悉，16号半导体生产线从2010年5月开工，到2011年5月净化车间施工完成，6月进入试运行阶段，8月具备批量生产架构，本月将生产1万张以上12英寸WiFi(无线保真)20纳米级高速NAND闪存。目前，该生产线是世界上规模最大的NAND闪存批量生产线。
截至今年年底，三星电子将扩大12英寸WiFi生产规模，明年还打算大批量生产10纳米级别的大容量高速闪存，以满足正在迅猛增长的NAND闪存需求。
相比于在2010年7月推出的30纳米级DDR3动态存储器，20纳米级DDR3动态存储器能够提升50%生产量，同时减少40%电耗，属于真正意义上的绿色内存产品。三星电子表示，他们已经在世界上首次开始大批量生产20纳米级2GB动态存储器，并将在今年年底开发以20纳米级4GB DDR3动态存储器为基础的大容量产品，从明年开始，将正式开发4GB、8GB、16GB以及32GB等多样化产品。三星电子今后还将以企业服务器市场为出发点，继续扩大包括通用计算机市场在内的各种信息产业市场中绿色内存市场的占有率。
三星会长李健熙、策略解决方案(DS)事业综合社长权五铉、李在镕等管理人员和包括日本索尼副社长中川裕在内的世界信息产业相关人士等500余人出席了开工仪式。
李健熙表示，虽然世界经济不稳定，经营条件的变化也很剧烈，但越是这样的时候，越要增加投资、增加人力资源。只有通过自身的努力和调整，才能抓住发展机遇，促进企业成长，同时帮助韩国经济增长。
微软首席执行官鲍尔默、台湾宏达电(HTC)董事长王雪红、戴尔计算机公司副总裁杰夫·克拉克、联想集团首席执行官杨元庆等通过视频向三星电子致意。电子业界的领导者们对三星电子致力于NAND闪存生产并在世界上率先批量生产20纳米级动态存储器表示祝贺。(薛严)